Транзистор IGBT Magnachip 40T65QES (650V, 40A), в корпусе TO-247

Высокопроизводительный IGBT транзистор модели 40T65QES от компании Magnachip в корпусе TO-247, предназначенный для использования в высокочастотных силовых устройствах, индукционных варочных панелях, сварочных аппаратах и импульсных блоках питания. Компонент обеспечивает отличные динамические характеристики, низкие потери при переключении и высокую надежность.
Высокая мощность: Рассчитан на работу при напряжении до 650 В и токах до 40 А.
Эффективность: Современная полупроводниковая структура снижает тепловыделение при работе на высоких частотах.
Широкая применимость: Оптимальный выбор для ремонта индукционных плит и промышленного силового оборудования.

Особенности
Тип устройства — Высоковольтный IGBT транзистор с технологией Field Stop
Модель — 40T65QES
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce) — 650 В
Максимальный ток коллектора (Ic) — 40 А
Тип корпуса — TO-247
Назначение — Применение в индукционных плитах, сварочных инверторах, источниках питания (SMPS) и преобразователях частоты